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| Cantidad | Tipo | Función | Nota al pie |
|---|
| 2 | Entradas de semiconductor, conmutación p | Vigilancia del circuito de retorno (EDM) | | | 2 | Entradas de semiconductor, conmutación p | Para la selección de nodos | | | 8 | Entradas de semiconductor, conmutación p | Entradas de seguridad | |
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| Carga inductiva | |
| Salidas de seguridad (OSSD) | max. 2 mH |
| Carga capacitiva | |
| Salidas de seguridad (OSSD) | max. 0.82 μF |
| Duración del impulso de prueba | |
| Salidas de comprobación | 0.2 ms |
| Salidas de seguridad (OSSD) | 0.1 ms |
| Intervalo entre impulsos de prueba | 20 ms |
| Categoría de sobretensión según IEC EN 60664-1 | II |
| Potencia de pérdida | max. 3 W |
| Grado de contaminación según EN 60664-1 | 2 |