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Cantidad | Tipo | Función | Nota al pie |
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2 | Entradas de semiconductor, conmutación p | Vigilancia del circuito de retorno (EDM) | | 2 | Entradas de semiconductor, conmutación p | Para la selección de nodos | | 8 | Entradas de semiconductor, conmutación p | Entradas de seguridad | |
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Carga inductiva | |
Salidas de seguridad (OSSD) | max. 2 mH |
Carga capacitiva | |
Salidas de seguridad (OSSD) | max. 0.82 μF |
Duración del impulso de prueba | |
Salidas de comprobación | 0.2 ms |
Salidas de seguridad (OSSD) | 0.1 ms |
Intervalo entre impulsos de prueba | 20 ms |
Categoría de sobretensión según IEC EN 60664-1 | II |
Potencia de pérdida | max. 3 W |
Grado de contaminación según EN 60664-1 | 2 |